提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂

本站 6 月 17 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能，以满足 HBM3E 内存需求。

HBM 内存对 DRAM 裸片的消耗远高于标准内存，因此 SK 海力士进一步扩张 1b nm 制程 DRAM 产能在一定程度上有助于缓解 HBM 内存目前的紧缺。

SK 海力士目标到今年年底将 1b nm 内存晶圆投片量增至 9 万片，明年上半年进一步增加到 14~15 万片。

为此 SK 海力士计划将其位于京畿道利川市的 M16 内存晶圆厂升级至 1b nm 工艺。

M16 目前生产 1y nm DRAM 内存。如果完全转产至 1b nm，预计将导致 SK 海力士 1y nm 产能从现在的每月 12 万片晶圆下降至 5 万片。

韩媒援引半导体设备行业消息人士的话称，SK 海力士已提出了对 M16 晶圆厂进行设备移动和改造的要求，并计划仅引进必需的沉积、光刻和蚀刻核心设备。

有相关人士表示，SK 海力士的追加投资仍受到此前存储行业低谷期的影响，整体决策流程十分谨慎，不过目前相关订单的增长已超出了上游设备厂商最初预期。

本站 4 月曾报道，SK 海力士计划 2025 年 11 月完成 M15X DRAM 内存晶圆厂的建设。韩媒提到，相关设备订单预计于 2025 年初开始下单

欧意交易所最新推荐
OK交易所下载	USDT钱包下载	比特币平台下载
挖比特币方法	买稳定币教程	钱包注册指南

本文标签：

声明：本文由代码号注册/游客用户【澜漪】供稿发布，本站不对用户发布的提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂信息内容原创度和真实性等负责。如内容侵犯您的版权或其他权益，请留言并加以说明。站长审查之后若情况属实会及时为您删除。

很赞哦！ ()