ASML宣布明年推出适用于2nm芯片制造的高NA光刻机，英特尔已订购6台

根据12月19日的消息，SamMobile报道称，ASML将在未来几个月内推出用于2nm工艺节点的芯片制造设备，该设备将光学数值孔径（NA）性能从0.33提高到0.55。三星计划于2025年底开始生产2nm芯片

据报道，据称荷兰半导体设备制造商ASML计划明年产能只有10台。然而，英特尔已经预订了其中的6台。尽管如此，ASML计划在未来几年将该设备的产能提高到每年20台

目前，ASML官网上列出的EUV光刻机有两款，分别是NXE:3600D和NXE:3400C。这两款光刻机都配备了0.33 NA的反射式投影光学器件和13.5nm的EUV光源，分别适用于3/5nm和5/7nm芯片的制造

▲ NXE:3600D 

根据ASML发言人透露，EXE:5200是ASML的下一代高NA系统，具备更高的光刻分辨率，能够将芯片缩小到1.7的比例，并且增加密度至2.9倍

▲ ASML 高 NA 系统路线图

根据之前的报道，ASML计划在2025年后开始量产第一台0.55 NA EUV光刻机，并将首批交付给英特尔

据英特尔发言人透露，该公司将成为ASML首台EXE:5200的购买者。相较于EXE:5000，EXE:5200预计将带来一些改进，如更高的生产率等

根据 Gartner 分析师 Alan Priestley 的预测，0.55 NA EUV 光刻机的价格将翻番，达到 3 亿美元（约合 21.42 亿元人民币）

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